- 具备多类型膜层制备与图形化加工能力，支持半导体器件工艺开发与样品制备；
- 支持ALD、热蒸发、磁控溅射等工艺，可实现氧化物、金属、电极等功能层薄膜沉积；
- 配备激光刻蚀系统，可完成薄膜图形化、器件区域划分及微结构加工，满足器件制备与工艺验证需求。
膜层制备与激光刻蚀
文章归档
引线键合与多类型封装（COB、TO、管壳、薄膜）
- 支持球焊金线芯片级互连，线径覆盖25μm~50μm，键合强度金线>5gf，满足MEMS、IC及高功率器件封装需求；
- 封装形式涵盖COB、TO（气密性≤1*10^9 Pa·m³/s）、定制管壳及薄膜封装（采用ALD技术，WVTR<10⁻⁶ g/m²/day）；
- 覆盖光电器件、柔性电子等多种应用场景。
气密性检测和可靠性测试
- 提供基于氦质谱（检测灵敏度达10⁻¹² Pa·m³/s）与氟油背压法的器件气密性检测，
- 执行符合MIL-STD、JEDEC标准的可靠性测试，包括高低温循环（-55°C~+95°C）、高温高湿（85°C/85%RH，1000h以上）、温度冲击、高温存储（>200°C）等；
- 用于评估器件寿命与环境适应性。
Wafer to wafer 键合（异质异构）
- 具备从芯片到系统的全流程失效分析能力；
- 结合X-Ray、OBIRCH、SEM等非破坏性检测与FIB、Decap、剖面等破坏性手段，精准定位故障点（精度达纳米级）；
- 分析失效机理（如ESD击穿、材料迁移、界面断裂等），并提供针对性改进建议；
- 支持膜厚测量等扩展服务。
Die to wafer 键合（异质异构）
- 具备从芯片到系统的全流程失效分析能力；
- 结合X-Ray、OBIRCH、SEM等非破坏性检测与FIB、Decap、剖面等破坏性手段，精准定位故障点（精度达纳米级），分析失效机理（如ESD击穿、材料迁移、界面断裂等），并提供针对性改进建议；
- 支持膜厚测量等扩展服务。
异质异构集成芯片加工工艺
- 硅基无源结构和Ⅲ-Ⅴ有源器件全流程加工，包括无源硅波导的光刻刻蚀，有源Ⅲ-Ⅴ波导的光刻刻蚀，氧硅介质层的沉积和刻蚀，金属电极的光刻、沉积与剥离等器件制备；
- 加工设备：DUV 步进光刻机、ICP刻蚀机、LPCVD、PECVD镀膜机、离子注入、电子束蒸发等；
- 工艺关键指标：最小线宽150 nm，套刻精度±50 nm；刻蚀波导表面粗糙度5 nm，侧壁垂直度89°；有源二极管平均电阻约5Ω，单管输出功率10 mW。
