异质异构集成芯片加工工艺 硅基无源结构和Ⅲ-Ⅴ有源器件全流程加工，包括无源硅波导的光刻刻蚀，有源Ⅲ-Ⅴ波导的光刻刻蚀，氧硅介质层的沉积和刻蚀，金属电极的光刻、沉积与剥离等器件制备； 加工设备：DUV 步进光刻机、ICP刻蚀机、LPCVD、PECVD镀膜机、离子注入、电子束蒸发等； 工艺关键指标：最小线宽150 nm，套刻精度±50 nm；刻蚀波导表面粗糙度5 nm，侧壁垂直度89°；有源二极管平均电阻约5Ω，单管输出功率10 mW。
